Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=27.8 A, 8针, PowerPAK SO-8, Si7456DDP系列

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RS 库存编号:
165-7065
制造商零件编号:
SI7456DDP-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

27.8A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

PowerPAK SO-8

系列

Si7456DDP

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.031Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

9.7nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.1V

最大功耗 Pd

35.7W

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

高度

1.12mm

宽度

5.26mm

标准/认证

Lead (Pb)-Free

长度

6.25mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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