Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 27.8 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SI7456DDP-T1-GE3, Si7456DDP系列

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制造商零件编号:
SI7456DDP-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

27.8A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

PowerPAK SO-8

系列

Si7456DDP

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.031Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

9.7nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

35.7W

最大栅源电压 Vgs

±20 V

正向电压 Vf

1.1V

最高工作温度

150°C

长度

6.25mm

宽度

5.26 mm

高度

1.12mm

标准/认证

Lead (Pb)-Free

汽车标准

N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor