Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=25 V, Id=5.8 A, 3针, SOT-23, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 165-7765
- 制造商零件编号:
- IRFML8244TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 卷，共 3000 件）*
RMB2,235.00
(不含税)
RMB2,526.00
(含税)
暂时缺货
- 42,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB0.745 | RMB2,235.00 |
| 15000 + | RMB0.73 | RMB2,190.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 165-7765
- 制造商零件编号:
- IRFML8244TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 41mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 最大功耗 Pd | 1.25W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 5.8A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 41mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.4nC | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
最大功耗 Pd 1.25W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 1.4mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.02mm | ||
长度 3.04mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，最大漏源电压 25V，最大连续漏极电流 5.8A - IRFML8244TRPBF
这款 MOSFET 是一款紧凑型 N 沟道增强型器件，专为紧凑型电子组件的表面贴装功率开关和信号级控制而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于严苛环境，旨在用于需要低导通损耗和适度功率处理能力的场合。该封装支持三针SOT-23安装，适用于空间受限的电路板布局。
特性和优点：
• 导通电阻低至 41mΩ，可降低导通损耗
• 连续漏极电流5.8A，支持更高的负载电流
• 漏源电压 25V，可实现中等电压切换
• 典型栅极电荷为5.4nC，可实现快速栅极转换
• 正向电压为 1.2V，可最大限度减少负载下的压降
• 最大功耗1.25W，可有效管理散热预算
• 连续漏极电流5.8A，支持更高的负载电流
• 漏源电压 25V，可实现中等电压切换
• 典型栅极电荷为5.4nC，可实现快速栅极转换
• 正向电压为 1.2V，可最大限度减少负载下的压降
• 最大功耗1.25W，可有效管理散热预算
应用
• 适用于紧凑型DCDC降压转换器
• 适用于便携式电源管理模块
• 与电机驱动器配合使用，用于小型执行器控制
• 可用于电池保护和充电电路
• 适用于高密度消费电子电路板
• 适用于便携式电源管理模块
• 与电机驱动器配合使用，用于小型执行器控制
• 可用于电池保护和充电电路
• 适用于高密度消费电子电路板
运行的温度限制是多少？
该器件的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，能够在低温启动和高温环境条件下正常运行。
应避免哪些极端栅极电压？
栅极源电压不得超过 20V，以防设备受压或损坏。
它使用多少针脚？采用哪种安装方式？
它作为三针元件提供，专为表面贴装组装而设计，采用SOT-23封装。
它在导通与开关方面存在哪些权衡？
41mΩ的导通电阻与5.4nC的栅极电荷相结合，在低导通损耗和适中的栅极驱动需求之间取得了平衡，从而实现高效开关。
相关链接
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=25 V, 5.8 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, IRFML8244TRPBF, HEXFET系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 5 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列
- Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 760 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列
- Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 3 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 5 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, IRLML6344TRPBF, HEXFET系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 2.6 A, SOT-223, 表面安装, 4引脚, HEXFET系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 5.2 A, SOT-223, 表面安装, 4引脚, HEXFET系列
- Infineon N沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 4.1 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列