DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=7.5 A, 6针, TSOT, DMG系列

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RS 库存编号:
165-8744
制造商零件编号:
DMG6402LVT-7
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

7.5A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

TSOT

系列

DMG

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

42mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

11.4nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

1.75W

正向电压 Vf

1V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

1.6mm

高度

0.9mm

长度

2.9mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

N 沟道 MOSFET，30V，Diodes Inc


MOSFET 晶体管，Diodes Inc.


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