Infineon N型, P型沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=1.5 A, 6针, TSOP-6, OptiMOS™系列

RS 库存编号:: 166-1082
制造商零件编号:: BSL316CH6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon N型, P型沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=1.5 A, 6针, TSOP-6, OptiMOS™系列

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RS 库存编号:: 166-1082
制造商零件编号:: BSL316CH6327XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型, P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	1.5A
	最大漏源电压 Vd	30V
	系列	OptiMOS™
	包装类型	TSOP-6
	安装类型	表面
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	280mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	0.86V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	500mW
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	2.4nC
	晶体管配置	隔离式
	最高工作温度	150°C
	长度	2.9mm
	标准/认证	No
	宽度	1.6mm
	高度	1mm
	每片芯片元件数目	2
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型, P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 1.5A
	最大漏源电压 Vd 30V
	系列 OptiMOS™
	包装类型 TSOP-6
	安装类型表面
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 280mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 0.86V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 500mW
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.4nC
	晶体管配置隔离式
	最高工作温度 150°C
	长度 2.9mm
	标准/认证 No
	宽度 1.6mm
	高度 1mm
	每片芯片元件数目 2
	汽车标准 AEC-Q101

COO (Country of Origin):: MY

Infineon OptiMOS™系列MOSFET，30V最大漏源电压，1.5A最大连续漏极电流 -BSL316CH6327XTSA1

该MOSFET为汽车和工业领域的低压应用提供紧凑型表面贴装开关功能。它是一款专为增强型工作模式设计的隔离式双通道晶体管，以6针TSOP封装集成了N沟道和P沟道元件。该器件支持适用于快速开关的典型栅极电荷特性，并能在恶劣环境所需的宽温度范围内工作。

特性和优点：

• 30V漏极电压，可实现低压系统开关功能
• 280mΩ漏源电阻，可降低导通损耗
• 典型栅极电荷为2.4nC，可实现高效栅极驱动
• 1.5A连续漏极电流，支持中等电流负载
• 500mW功耗可防止紧凑布局中的过热现象
• 通过AEC‑Q101认证，确保适用于汽车应用

应用

• 适用于车载电子设备的DC负载切换
• 用于互补推‑挽驱动器级应用
• 适用于控制板的 SMD 电源管理
• 可用于电池保护和负载断开
• 适用于温度‑敏感型汽车模块

它采用多少引脚数和哪种封装类型？

该元件采用 6 针 TSOP‑6 表面贴装封装，针对紧凑型组件进行了优化。

它在不同温度条件下的表现如何？

它的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在极端环境条件下保持功能性。

该器件是单元件还是多元件？

该管芯包含两个相互隔离的元件，在单芯片上同时提供N 沟道和 P 沟道配置。

必须遵守哪些栅极电压限制？

栅源电压不得超过 20V，以防止对栅极绝缘层造成损坏。