onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 2.9 A, MLP, 贴片安装, 6引脚, PowerTrench系列

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RS 库存编号:
166-1992
制造商零件编号:
FDMA1430JP
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

P

最大连续漏极电流

2.9 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

MLP

系列

PowerTrench

安装类型

贴片

引脚数目

6

最大漏源电阻值

240 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

1V

最小栅阈值电压

0.4V

最大功率耗散

1.5 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-8 V、+8 V

宽度

2mm

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+150 °C

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

7.2 nC @ 4.5 V

长度

2mm

最低工作温度

-55 °C

高度

0.725mm

正向二极管电压

1.2V

COO (Country of Origin):
MY