onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 130 A, PQFN8, 贴片安装, 8引脚, PowerTrench系列

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RS 库存编号:
166-2155
制造商零件编号:
FDMS86350
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

130 A

最大漏源电压

80 V

封装类型

PQFN8

系列

PowerTrench

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

3.8 mΩ

通道模式

增强

最小栅阈值电压

2.5V

最大功率耗散

156 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

每片芯片元件数目

1

宽度

6.25mm

长度

5.1mm

典型栅极电荷@Vgs

110 nC @ 10 V

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

高度

1.05mm

最低工作温度

-55 °C

PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor


该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。