onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=250 V, 33 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, UniFET系列
- RS 库存编号:
- 166-2437
- 制造商零件编号:
- FDB33N25TM
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 卷，共 800 件）*
¥6,838.40
(不含税)
¥7,727.20
(含税)
供应短缺
- 另外 800 件在 2025年12月22日 发货
我们目前的库存有限，并且我们的供应商预计会出现缺货。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 800 - 3200 | RMB8.548 | RMB6,838.40 |
| 4000 + | RMB8.206 | RMB6,564.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 166-2437
- 制造商零件编号:
- FDB33N25TM
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 33A | |
| 最大漏源电压 Vd | 250V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | UniFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 94mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36.8nC | |
| 正向电压 Vf | 1.4V | |
| 最大功耗 Pd | 235W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 宽度 | 11.33 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 33A | ||
最大漏源电压 Vd 250V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 UniFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 94mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36.8nC | ||
正向电压 Vf 1.4V | ||
最大功耗 Pd 235W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 4.83mm | ||
长度 10.67mm | ||
宽度 11.33 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。
UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。