onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=52 A, 3针, TO-263, UniFET系列

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RS 库存编号:
166-2543
制造商零件编号:
FDB52N20TM
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

52A

最大漏源电压 Vd

200V

系列

UniFET

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

49mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

49nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

357W

正向电压 Vf

1.4V

最高工作温度

150°C

长度

9.98mm

高度

4.572mm

宽度

10.16mm

标准/认证

No

汽车标准

否

增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor


增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。

Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。

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