IXYS N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=360 A, 4针, SOT-227, GigaMOS Trench HiperFET系列

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RS 库存编号:
168-4577
制造商零件编号:
IXFN360N10T
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

360A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

GigaMOS Trench HiperFET

包装类型

SOT-227

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

2.6mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

525nC

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最大功耗 Pd

830W

最高工作温度

175°C

宽度

25.07mm

高度

9.6mm

长度

38.23mm

标准/认证

No

汽车标准

否

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