IXYS N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=82 A, 3针, PLUS264, HiperFET, Q3-Class系列

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RS 库存编号:
168-4696
制造商零件编号:
IXFB82N60Q3
制造商:
IXYS
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品牌

IXYS

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

82A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

PLUS264

系列

HiperFET, Q3-Class

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

75mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

1.56kW

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

晶体管配置

单

最高工作温度

150°C

高度

26.59mm

宽度

5.31mm

长度

20.29mm

每片芯片元件数目

1

COO (Country of Origin):
US

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列


HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。

快速本质整流器二极管

低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）

低本质栅极电阻

工业标准封装

低封装电感

高功率密度

MOSFET 晶体管，IXYS


IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

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