STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=60 A, 3针, TO-220, STripFET II系列

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RS 库存编号:
168-7515
制造商零件编号:
STP65NF06
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

60A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-220

系列

STripFET II

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

14Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

54nC

最大功耗 Pd

110W

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

正向电压 Vf

1.5V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

高度

15.75mm

标准/认证

No

汽车标准

否

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics


STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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