STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=60 A, 3针, TO-220, STripFET II系列

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RS 库存编号:
485-7800
制造商零件编号:
STP60NF06
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

60A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-220

系列

STripFET II

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

16mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

150W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

49nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.3V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最高工作温度

175°C

长度

10.4mm

标准/认证

No

高度

9.15mm

宽度

4.6mm

汽车标准

否

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics


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