制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=17 A, 3针, TO-263, MDmesh系列

RS 库存编号:: 168-7535
制造商零件编号:: STB18NM80
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=17 A, 3针, TO-263, MDmesh系列

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RS 库存编号:: 168-7535
制造商零件编号:: STB18NM80
制造商:: STMicroelectronics

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	17A
	最大漏源电压 Vd	800V
	包装类型	TO-263
	系列	MDmesh
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	295mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	190W
	最低工作温度	-65°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	70nC
	正向电压 Vf	1.6V
	最大栅源电压 Vgs	-30, +30V
	最高工作温度	150°C
	宽度	10.4mm
	长度	10.75mm
	标准/认证	No
	高度	4.6mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 17A
	最大漏源电压 Vd 800V
	包装类型 TO-263
	系列 MDmesh
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 295mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 190W
	最低工作温度 -65°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 70nC
	正向电压 Vf 1.6V
	最大栅源电压 Vgs -30, +30V
	最高工作温度 150°C
	宽度 10.4mm
	长度 10.75mm
	标准/认证 No
	高度 4.6mm
	汽车标准否

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=17 A, 3针, TO-263, MDmesh系列

N 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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