STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 1 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚
- RS Stock No.:
- 168-7564
- Mfr. Part No.:
- STD1NK60-1
- Brand:
- STMicroelectronics
Bulk discount available
Subtotal (1 tube of 75 units)*
¥222.825
(exc. VAT)
¥251.775
(inc. VAT)
有库存
- 另外 3,900 件在 2025年12月15日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
Units | Per unit | Per Tube* |
|---|---|---|
| 75 - 300 | RMB2.971 | RMB222.83 |
| 375 + | RMB2.674 | RMB200.55 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 168-7564
- Mfr. Part No.:
- STD1NK60-1
- Brand:
- STMicroelectronics
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | IPAK | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8.5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 30W | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 宽度 | 6.2 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 1A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 IPAK | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 8.5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 30W | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.6mm | ||
宽度 6.2 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 2.4mm | ||
汽车标准 否 | ||