STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 10 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, MDmesh系列
- RS 库存编号:
- 168-7566
- 制造商零件编号:
- STF10NM60N
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 管，共 50 件）*
¥686.25
(不含税)
¥775.45
(含税)
有库存
- 300 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB13.725 | RMB686.25 |
| 100 - 150 | RMB13.314 | RMB665.70 |
| 200 + | RMB12.914 | RMB645.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 168-7566
- 制造商零件编号:
- STF10NM60N
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | MDmesh | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 550mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 25W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 4.6 mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 16.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 10A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 MDmesh | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 550mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 25W | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 4.6 mm | ||
长度 10.4mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 16.4mm | ||
汽车标准 否 | ||