制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=10 A, 3针, TO-220, MDmesh系列

RS 库存编号:: 761-2739
制造商零件编号:: STF10NM60N
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=10 A, 3针, TO-220, MDmesh系列

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RS 库存编号:: 761-2739
制造商零件编号:: STF10NM60N
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	10A
	最大漏源电压 Vd	600V
	系列	MDmesh
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	550mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	-25V, +25V
	最大功耗 Pd	25W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	19nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.3V
	最高工作温度	150°C
	长度	10.4mm
	标准/认证	No
	高度	16.4mm
	宽度	4.6mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 10A
	最大漏源电压 Vd 600V
	系列 MDmesh
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 550mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs -25V, +25V
	最大功耗 Pd 25W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.3V
	最高工作温度 150°C
	长度 10.4mm
	标准/认证 No
	高度 16.4mm
	宽度 4.6mm
	汽车标准否

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=10 A, 3针, TO-220, MDmesh系列

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MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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