Toshiba N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=55 A, 3针, TO-220, TK系列

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RS 库存编号:
168-7774
制造商零件编号:
TK35E08N1
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

55A

最大漏源电压 Vd

80V

系列

TK

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

12.2mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

72W

正向电压 Vf

-1.2V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

25nC

最高工作温度

150°C

宽度

4.45mm

高度

15.1mm

长度

10.16mm

标准/认证

No

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
JP

MOSFET N 通道，TK3x 系列，Toshiba


MOSFET 晶体管，Toshiba


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