STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=40 A, 3针, TO-263, STripFET系列

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RS 库存编号:
168-8030
制造商零件编号:
STB40NF20
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

40A

最大漏源电压 Vd

200V

包装类型

TO-263

系列

STripFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

45mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.5V

最大功耗 Pd

160W

最大栅源电压 Vgs

-20, +20V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

75nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

9.35mm

高度

4.6mm

长度

10.4mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics


MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


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