STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=26 A, 3针, TO-247, MDmesh M2系列

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RS 库存编号:
168-8076
制造商零件编号:
STW33N60M2
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

26A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-247

系列

MDmesh M2

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

125mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.6V

最大栅源电压 Vgs

-25V, +25V

最大功耗 Pd

190W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

45.5nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

5.15mm

长度

15.75mm

标准/认证

No

高度

20.15mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronics


STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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