STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 32 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, MDmesh M2系列
- RS 库存编号:
- 168-8844
- 制造商零件编号:
- STW40N65M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 管，共 30 件）*
¥1,108.02
(不含税)
¥1,252.05
(含税)
有库存
- 480 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | RMB36.934 | RMB1,108.02 |
| 150 + | RMB36.195 | RMB1,085.85 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 168-8844
- 制造商零件编号:
- STW40N65M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 32A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | MDmesh M2 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 99mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 250W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 56.5nC | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 5.15 mm | |
| 高度 | 20.15mm | |
| 长度 | 15.75mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 32A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 MDmesh M2 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 99mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 250W | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 56.5nC | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 5.15 mm | ||
高度 20.15mm | ||
长度 15.75mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronics
STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。