Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 100 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 170-2297
- 制造商零件编号:
- BSC014N04LSATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | RMB5.146 | RMB25,730.00 |
| 10000 - 15000 | RMB5.043 | RMB25,215.00 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 170-2297
- 制造商零件编号:
- BSC014N04LSATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 61nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 96W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 6.15 mm | |
| 标准/认证 | J-STD20 and JESD22 | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 长度 | 5.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 61nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 96W | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 6.15 mm | ||
标准/认证 J-STD20 and JESD22 | ||
高度 1.1mm | ||
长度 5.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon BSC014N04LS 是 optiMOS 功率 MOSFET ，采用 PG-TDSON-8 型封装。它具有完美的切换行为，用于快速切换应用。
超低通态电阻 RDS (接通)
通过 100% 雪崩测试
出色的耐热性能