Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=100 A, 8针, TDSON, OptiMOS系列

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RS 库存编号:
171-1961
制造商零件编号:
BSC014N04LSATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TDSON

系列

OptiMOS

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.4mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

96W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

61nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

150°C

宽度

6.15mm

长度

5.15mm

高度

1.1mm

标准/认证

J-STD20 and JESD22

汽车标准

否

Infineon OptiMOS 系列 MOSFET，40V 最大漏源电压，100A 最大连续漏极电流 - BSC014N04LSATMA1


该 MOSFET 是一款专为表面安装功率应用而设计的大电流 N 通道开关晶体管。它可在宽温度范围内工作，支持大量连续漏极电流，专为工业电子系统中的紧凑型功率转换和高效开关任务而设计。

特性和优点：


• 1.4mΩ的低导通电阻可降低导通损耗
• 100A 连续漏极电流，可实现高电流处理
• 40V 漏源额定值，支持中压功率级
• 61nC 典型栅极电荷，支持快速开关性能
• 96W 最大功耗，可承受显著的热负载
• 20V 最大栅源电压，可适应强大的栅极驱动

应用


• 适用于 DC-DC 转换器的初级和次级侧
• 适用于工业设备中的高电流电源导轨
• 与同步降压转换器配合使用，实现高效开关
• 可用于电机驱动半桥模块
• 适用于紧凑型表面安装电源组件

它采用什么封装和安装方式？


它采用 8 引脚 TDSON 封装，适用于表面安装到电路板。

它如何应对宽温度范围？


其额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在苛刻的热环境中使用。

设计人员应遵守哪些栅极驱动限制？


该设备允许 20V 的最大栅源电压，因此栅极驱动器必须保持在此限值范围内。

它遵循哪些电极性和通道行为？


它是一款增强型 N 通道设备，需要正栅极驱动才能导通。

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