DiodesZetex P型, N型沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=8.2 A, 8针, SOIC

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RS 库存编号:
170-9039
制造商零件编号:
DMC3026LSD-13
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

槽架类型

P型, N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8.2A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

29mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最大功耗 Pd

1.6W

正向电压 Vf

0.7V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6nC

最低工作温度

-55°C

晶体管配置

隔离式

最高工作温度

+150°C

高度

1.5mm

标准/认证

MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020

宽度

3.95mm

长度

4.95mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

双 N/P 通道 MOSFET，Diodes Inc.


MOSFET 晶体管，Diodes Inc.


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