DiodesZetex P型, N型沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=8.2 A, 8针, SOIC

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 20 件）*

RMB89.96

(不含税)

RMB101.66

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 40 件在 2026年10月12日 发货
  • 另外 1,160 件在 2026年10月19日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
20 - 620RMB4.498RMB89.96
640 - 1240RMB4.363RMB87.26
1260 +RMB4.298RMB85.96

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
921-1029
制造商零件编号:
DMC3026LSD-13
制造商:
DiodesZetex
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

DiodesZetex

槽架类型

P型, N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8.2A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOIC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

29mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

1.6W

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

正向电压 Vf

0.7V

最高工作温度

+150°C

晶体管配置

隔离式

标准/认证

MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020

宽度

3.95mm

长度

4.95mm

高度

1.5mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

双 N/P 通道 MOSFET，Diodes Inc.


MOSFET 晶体管，Diodes Inc.


相关链接