Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=11.3 A, 8针, TDSON, BSC12DN20NS3 G系列

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包装方式：
RS 库存编号:
171-1952
制造商零件编号:
BSC12DN20NS3GATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

11.3A

最大漏源电压 Vd

200V

系列

BSC12DN20NS3 G

包装类型

TDSON

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

125mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1V

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

50W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.5nC

最高工作温度

150°C

长度

5.35mm

宽度

6.35mm

标准/认证

No

高度

1.1mm

汽车标准

否

Infineon BSC12DN20NS3 G 200V OptiMOS 产品是性能领先的基准技术，特别适用于 48V 系统，直流 - 直流转换器，不间断电源 (UPS) 和直流电动机驱动器变频器中的同步整流。

最高效

最高功率密度

最低板空间消耗

所需器件并联最少

系统成本降低

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