Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=100 A, 8针, TDSON, BSC040N08NS5系列

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包装方式：
RS 库存编号:
171-1969
制造商零件编号:
BSC040N08NS5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

TDSON

系列

BSC040N08NS5

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

5.7mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

43nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

104W

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

880mV

最高工作温度

150°C

长度

5.49mm

标准/认证

No

高度

1.1mm

宽度

6.35mm

汽车标准

否

Infineon BSC040N08NS5 系列 MOSFET，80V 最大漏源电压，100A 最大连续漏极电流 - BSC040N08NS5ATMA1


该 MOSFET 是一款硅基 N 通道增强型设备，专为表面安装功率应用中的高电流开关而设计。它可在宽工业温度范围内运行，适用于需要稳健传导和快速开关的系统。该设备提供高连续电流能力，配置用于需要紧凑型低损耗功率处理的应用。

特性和优点：


• 80V 漏极电压，支持高压开关能力
• 100A 连续漏极电流，支持大电流负载
• 5.7mΩ 低 Rds(on)，可降低传导损耗
• 104W 功耗，可实现更高的热负载
• 43nC 典型栅极电荷，可实现高效开关转换
• Vgs 20V 最大栅极额定值，允许宽栅极驱动余量

应用


• 适用于电源管理系统中的 DC-DC 转换器
• 适用于工业控制器中的电机驱动级
• 用于电源的同步整流
• 可用于电信机架中的高电流负载开关
• 适用于变频器模块的功率级实施

它使用哪种封装类型，为什么这一点非常重要？


它采用紧凑的 TDSON 表面安装封装，便于实现低电感布局和高效的板级热传递。

该设备的环境操作限值是多少？


其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在各种工业温度条件下使用。

该封装为 PCB 路由提供多少连接？


该设备配有八个引脚，支持电源和栅极/热连接，可实现稳健的 PCB 集成。

电路设计的通道传导类型和模式是什么？


它采用 N 通道增强型配置，适用于低边和同步开关拓扑结构。

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