Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=100 A, 8针, TDSON, BSC030N08NS5系列

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包装方式：
RS 库存编号:
171-1978
制造商零件编号:
BSC030N08NS5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

80V

系列

BSC030N08NS5

包装类型

TDSON

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

3mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

61nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

0.8V

最大功耗 Pd

139W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

6.35mm

标准/认证

No

长度

5.49mm

高度

1.1mm

汽车标准

否

Infineon BSC030N08NS5 系列 MOSFET，80V 最大漏源电压，100A 最大连续漏极电流 - BSC030N08NS5ATMA1


这款 N 通道增强型 MOSFET 专为表面安装功率电子设备中的高电流开关而设计。它可在宽温度范围内工作，并可管理高电压和高电流，因此适用于苛刻的热环境和电环境。该组件可集成到紧凑型电路板布局中，并支持快速开关，适用于功率转换或电机驱动级。

特性和优点：


• 80V 漏源额定值，可实现更高的电压轨运行
• 100A 连续漏极电流，支持大电流处理
• 3mΩ Rds(on) 可最大限度减少负载路径的传导损耗
• 139W 功耗，支持显著的热输出
• 61nC 总栅极电荷，便于快速开关转换
• 20V 栅源极限，支持稳健的栅极驱动余量

应用


• 适用于电源的高电流开关级
• 适用于转换器的同步整流
• 适用于需要快速开关的电机驱动器
• 可用于电信电源系统的负载开关
• 适用于紧凑型表面安装电源模块

在 PCB 封装中，我应该采用哪种封装类型？


该设备采用八引脚 TDSON 封装，用于表面安装布置，因此请确保采用兼容的焊盘布局，并在需要时设置热过孔。

它对极端环境条件的耐受性如何？


该组件的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可用于温度变化较大的应用。

为实现高效运行，需要考虑哪些栅极驱动因素？


典型栅极电荷为 61nC，最大 Vgs 为 20V，请选择能够提供足够峰值电流且保持在栅极电压限值范围内的驱动器，以优化开关速度。

正向电压对低压设计有何影响？


该设备的正向电压为 0.8V，影响低电压、高电流系统的导通压降计算，应纳入功率损耗估计。

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