Toshiba N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=8 A, 3针, TO-252
- RS 库存编号:
- 171-2429
- 制造商零件编号:
- TK8S06K3L
- 制造商:
- Toshiba
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- TK8S06K3L
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 80mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10nC | |
| 最大功耗 Pd | 25W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 宽度 | 7mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 80mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10nC | ||
最大功耗 Pd 25W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.3mm | ||
长度 6.5mm | ||
宽度 7mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
不适用
- COO (Country of Origin):
- JP
汽车
电机驱动器
直流 - 直流转换器
开关稳压器
低漏-源通态电阻：RDS（接通）= 43 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)
低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 60 V)
增强模式：Vth = 2.0 至 3.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）
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