Toshiba P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 15 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, TJ15P04M3

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RS 库存编号:
171-2473
制造商零件编号:
TJ15P04M3
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

15A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

48mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

29W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

26nC

最高工作温度

150°C

高度

2.3mm

标准/认证

No

宽度

7.18 mm

长度

6.6mm

汽车标准

豁免

COO (Country of Origin):
CN
低漏-源通态电阻:RDS(接通)= 28 mΩ(典型值)(VGS = -10 V)

低泄漏电流:IDSS = -10 μA(最大值)(VDS = -40 V)

增强模式:Vth = -0.8 至 -2.0 V(VDS = -10 V,ID = -0.1 mA)

应用:

电机驱动器

电源管理开关