onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 157 A, DFN, 表面安装, 5引脚, NTMFS6H801N系列

可享批量折扣

小计(1 卷,共 1500 件)*

¥13,048.50

(不含税)

¥14,745.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 3,000 个,准备发货
单位
每单位
每卷*
1500 - 1500RMB8.699RMB13,048.50
3000 - 13500RMB8.525RMB12,787.50
15000 +RMB8.354RMB12,531.00

* 参考价格

RS 库存编号:
172-8785
制造商零件编号:
NTMFS6H801NT1G
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

157A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

DFN

系列

NTMFS6H801N

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

4.4mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

64nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.8V

最大功耗 Pd

166W

最高工作温度

175°C

宽度

5.1 mm

长度

6.1mm

高度

1.1mm

标准/认证

No

汽车标准

商用功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引线封装,设计用于紧凑型高效设计,包括高热性能。

体积小巧 (5 x 6 mm)

紧凑设计

低 RDS(接通)

最大限度地减少传导损耗

低 QG 和电容

最大限度地减少驱动器损耗

应用

开关电源

电源开关(高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等)

48V 系统

电动机控制

负载开关

直流/直流转换器

同步整流器