onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 157 A, DFN, 表面安装, 5引脚, NVMFS6H801NT1G, NVMFS6H801N系列

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制造商零件编号:
NVMFS6H801NT1G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

157A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

DFN

系列

NVMFS6H801N

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

2.8mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

64nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

166W

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

长度

5.1mm

高度

1.05mm

宽度

6.1 mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
MY
汽车功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引线封装,设计用于紧凑型高效设计,包括高热性能。可润侧翼选件可用于增强型光学检验。适用于汽车应用。

特点

体积小巧 (5 x 6 mm)

低 RDS(接通)

低 QG 和电容

NVMFS6H801NWF - 可润侧翼选件

支持 PPAP

优点

紧凑设计

最大限度地减少传导损耗

最大限度地减少驱动器损耗

增强型光学检验

应用

开关电源

电源开关(高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等)

48V 系统

最终产品

电动机控制

直流/直流转换器

负载开关