Microchip N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=400 V, 170 mA, TO-243, 表面安装, 3引脚, DN2540系列

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RS 库存编号:
177-3294P
制造商零件编号:
DN2540N8-G
制造商:
Microchip
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品牌

Microchip

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

170mA

最大漏源电压 Vd

400V

包装类型

TO-243

系列

DN2540

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

25Ω

通道模式

消耗

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

1.6W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1.8V

最高工作温度

150°C

长度

4.6mm

宽度

2.6 mm

高度

1.6mm

标准/认证

No

汽车标准

COO (Country of Origin):
US
DN2540 是一款低阈值耗尽型(常开)晶体管,采用先进的垂直 DMOS 结构和久经考验的硅栅极制造工艺。该组合可使设备具有双极性晶体管的功率处理能力,以及 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特性确保该设备能够免受热耗散和热感应次级击穿的影响。垂直 DMOS FET 非常适合各种需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。

其他特点:

高输入阻抗

低输入电容

切换速度快

低接通电阻

无次级击穿低输入和输出泄漏