Microchip N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 200 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, 2N7000-G, 2N7000系列

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177-9760
制造商零件编号:
2N7000-G
制造商:
Microchip
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品牌

Microchip

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

200mA

最大漏源电压 Vd

60V

系列

2N7000

包装类型

TO-92

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

5.3Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

1W

正向电压 Vf

0.85V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

30 V

最高工作温度

150°C

宽度

4.06 mm

标准/认证

No

高度

5.33mm

长度

5.08mm

汽车标准

否

Distrelec Product Id

304-38-475

COO (Country of Origin):
TW

Microchip Technology


Microchip Technology 通孔安装 N 通道 MOSFET 是一款具有 60V 漏极源电压和 30V 最大栅极源电压的新型产品。它在 5ohms 的栅源电压下具有 10V 的漏极电阻。它具有 200mA 的连续漏电流和 1W 的最大功耗。 此 MOSFET 的最小和最大驱动电压分别为 4.5V 和 10V 。MOSFET 是一种增强模式（通常关闭） MOSFET 、采用垂直 DMOS 结构和久经考验的硅栅制造工艺。该组合可使设备具有双极性晶体管的功率处理能力，以及 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。该设备是所有 MOS 结构的一个重要特征、不会出现热失控和热诱发的二次击穿。此垂直 DMOS FET 已针对更低的开关和传导损耗进行了优化。MOSFET 可提供卓越的效率以及较长的使用寿命、而不会影响性能或功能。

特点和优势


•易于并行

• 极好的热稳定性

•无需二次故障

•高输入阻抗和高增益

•集成源排放二极管

•低 CISS 和快速切换速度

•低功率驱动要求

•工作温度范围在 -55°C 和 150°C 之间

应用


•放大器

• 转换器

•驱动器：继电器、液压锤、电磁阀、灯、存储器、显示屏、双极晶体管等

•电机控制

•电源电路

• 开关

认证


• ANSI/ESD S20.20 ： 2014

• BS EN 61340-5-1 ： 2007

• JEDEC