onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 200 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, 2N7000-D26Z, 2N7000系列

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184-4881
制造商零件编号:
2N7000-D26Z
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

200mA

最大漏源电压 Vd

60V

系列

2N7000

包装类型

TO-92

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

通道模式

增强

最大功耗 Pd

400mW

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

0.88V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

长度

5.2mm

宽度

4.19 mm

高度

5.33mm

标准/认证

No

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
这些 N 通道小型信号 MOSFET 采用 ON Semiconductor 专有的高单元密度 DMOS 技术。这些产品旨在最大限度地降低电阻,同时提供坚固、可靠和快速的交换性能。它们可用于大多数需要高达 400mA 直流电的应用中,并可提供高达 2A 的脉冲电流这些产品特别适合低压低电流应用。

电压控制小信号开关

高饱和度电流能力

坚固且可靠

低 RDS 的高密度单元格设计(开)

应用

小型伺服马达控制

功率 MOSFET 闸极驱动器

分类切换应用