Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=9.8 A, 3针, TO-220, IRFI系列

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RS 库存编号:
178-0847
制造商零件编号:
IRFI640GPBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

9.8A

最大漏源电压 Vd

200V

包装类型

TO-220

系列

IRFI

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

180mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

70nC

最大功耗 Pd

40W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-20, +20V

最高工作温度

150°C

宽度

4.83mm

标准/认证

No

长度

10.63mm

高度

9.8mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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