Vishay Siliconix N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=24.5 A, 8针, SO-8L, SQJ872EP系列

RS 库存编号:: 178-3721
制造商零件编号:: SQJ872EP-T1_GE3
制造商:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=24.5 A, 8针, SO-8L, SQJ872EP系列

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RS 库存编号:: 178-3721
制造商零件编号:: SQJ872EP-T1_GE3
制造商:: Vishay Siliconix

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay Siliconix
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	24.5A
	最大漏源电压 Vd	150V
	包装类型	SO-8L
	系列	SQJ872EP
	安装类型	PCB
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.0395Ω
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	14nC
	最大功耗 Pd	55W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	175°C
	宽度	5mm
	标准/认证	RoHS
	长度	5.99mm
	高度	1.07mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay Siliconix
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 24.5A
	最大漏源电压 Vd 150V
	包装类型 SO-8L
	系列 SQJ872EP
	安装类型 PCB
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.0395Ω
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14nC
	最大功耗 Pd 55W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 175°C
	宽度 5mm
	标准/认证 RoHS
	长度 5.99mm
	高度 1.07mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SQJ872EP 系列 MOSFET，150V 漏源电压，24.5A 连续漏极电流 - SQJ872EP-T1_GE3

该MOSFET是一种功率开关器件，专为严苛环境中的高压、大电流应用而设计。它用作 N ‑沟道增强型晶体管，适用于开关和电源转换用途。该器件采用小外形封装，适用于PCB安装，并按照符合行业环保标准的规范制造。

特性和优点：

• 低导通电阻 0.0395Ω，可降低导通损耗
• 150V的高耐压能力，提供稳健的开关裕量
• 持续电流额定值24.5A，支持大负载电流
• 栅极电荷14nC，可实现高效开关控制
• 功耗55W，可承受持续热负载
• 宽栅极容差±20V，栅极驱动设计更灵活

应用

• 适用于需要符合AEC‑Q101标准的汽车电源级应用
• 适用于工业电机驱动开关阵列
• 用于高压系统的DC-DC转换器
• 可用于电源的同步整流
• 适用于变频器和 UPS 前端开关级应用

在严苛的安装环境中，它能耐受的温度范围是多少？

它的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，支持极端工业和汽车温度条件。

它对电路板组装采用何种封装和安装方式？

该器件采用 SO‑8L 封装，专为 PCB 安装而设计，可简化紧凑组件的集成。

其正向电压对系统设计有何影响？

在规定条件下，正向导通压降为1.2V，该数值应纳入功耗计算和热‑管理评估中。

该器件是否符合受监管的制造及环境要求？

它符合RoHS指令，表明其元件材料限制了特定有害物质的使用。