Vishay Siliconix N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 24.5 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
178-3721
制造商零件编号:
SQJ872EP-T1_GE3
制造商:
Vishay Siliconix
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品牌

Vishay Siliconix

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

24.5A

最大漏源电压 Vd

150V

系列

TrenchFET

包装类型

SO-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

80mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

55W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

14nC

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

5 mm

长度

5.99mm

高度

1.07mm

汽车标准

AEC-Q101

豁免

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® power MOSFET