Vishay Siliconix N型沟道增强型 MOSFET, Vds=150 V, 24.5 A, SO-8L, PCB安装, 8引脚, SQJ872EP-T1_GE3, SQJ872EP系列

RS 库存编号:: 178-3903
制造商零件编号:: SQJ872EP-T1_GE3
制造商:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix N型沟道增强型 MOSFET, Vds=150 V, 24.5 A, SO-8L, PCB安装, 8引脚, SQJ872EP-T1_GE3, SQJ872EP系列

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RS 库存编号:: 178-3903
制造商零件编号:: SQJ872EP-T1_GE3
制造商:: Vishay Siliconix

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay Siliconix
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	24.5A
	最大漏源电压 Vd	150V
	系列	SQJ872EP
	包装类型	SO-8L
	安装类型	PCB
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.0395Ω
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	55W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	14nC
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	长度	5.99mm
	宽度	5mm
	标准/认证	RoHS
	高度	1.07mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay Siliconix
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 24.5A
	最大漏源电压 Vd 150V
	系列 SQJ872EP
	包装类型 SO-8L
	安装类型 PCB
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.0395Ω
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 55W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14nC
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	长度 5.99mm
	宽度 5mm
	标准/认证 RoHS
	高度 1.07mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Siliconix SQJ872EP系列MOSFET,150 V漏源电压,24.5 A最大连续漏电流 - SQJ872EP-T1_GE3

这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道晶体管,专为要求严苛的电子系统中的电源开关而设计。它可在宽温度范围内工作,适用于汽车级应用,并采用紧凑型SO-8L封装,适用于PCB安装。该设备专为需要稳健电流处理和高电压高效切换的电路而设计。

特性和优点：

• 150V 排放额定值可实现高电压开关应用
• 24.5 A 连续漏电流支持重负载操作
• 0.0395Ω Rds(on) 可减少传导损耗,提高效率
• 14nC 典型栅极电荷确保响应灵敏的开关行为
• 55W 功耗可实现持久的热负载
• 20V 栅极容差允许灵活的栅极驱动电压

应用

• 适用于需要高压开关的汽车配电模块
• 适用于工业自动化系统中的直流-直流转换器
• 用于电气和机械设备的电机驱动级
• 可用于远程信息通信和控制装置的电源切换

应使用哪种安装方法来实现可靠组装?

该设备专为在 SO-8L 封装中安装 PCB 而设计,以确保稳定的电气和热接触。

该设备在宽极端温度下的性能如何?

它的额定工作温度范围为-55°C至175°C,可适应汽车和工业环境中遇到的恶劣热环境。

哪些特性最直接影响开关损耗?

开关损耗受14nC的典型栅极电荷以及转换过程中Rds(on)与漏极电压的组合影响。

电路连接提供多少引脚?

该封装提供八个引脚,可适应标准 SO-8L PCB 布局和路由要求。

Vishay Siliconix N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 24.5 A, SO-8L, PCB安装, 8引脚, SQJ872EP-T1_GE3, SQJ872EP系列

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