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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	65A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	NTHL
	包装类型	TO-247
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	40mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	158nC
	最大功耗 Pd	446W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	30 V
	最高工作温度	150°C
	高度	20.82mm
	宽度	4.82 mm
	标准/认证	No
	长度	15.87mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 onsemi
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 65A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 NTHL
	包装类型 TO-247
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 40mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 158nC
	最大功耗 Pd 446W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 30 V
	最高工作温度 150°C
	高度 20.82mm
	宽度 4.82 mm
	标准/认证 No
	长度 15.87mm
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: CN

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features

700 V @ TJ = 150

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 158 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1366pF)

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 32 mΩ

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

Benefits

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

End Products

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

onsemi N型沟道增强型 MOSFET, Vds=650 V, 65 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, NTHL系列

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 65 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, NTHL系列

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

onsemi N型沟道增强型 MOSFET, Vds=650 V, 65 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, NTHL系列