onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 65 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, NTHL040N65S3F, NTHL系列

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onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 65 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, NTHL系列
RS 库存编号
178-4253

每管：30 个

RMB86.201

(不含税)

RMB97.407

(含税)

RS 库存编号:
178-4448
制造商零件编号:
NTHL040N65S3F
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

65A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-247

系列

NTHL

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

40mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

158nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.3V

最大功耗 Pd

446W

最大栅源电压 Vgs

30 V

最高工作温度

150°C

长度

15.87mm

高度

20.82mm

宽度

4.82 mm

标准/认证

No

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features

700 V @ TJ = 150

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 158 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1366pF)

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 32 mΩ

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

Benefits

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

End Products

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

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