onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 123 A, DFN, 表面安装, 5引脚, NVMFS6H818N系列
- RS 库存编号:
- 178-4309
- 制造商零件编号:
- NVMFS6H818NT1G
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 卷，共 1500 件）*
¥15,936.00
(不含税)
¥18,007.50
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 1,500 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1500 - 1500 | RMB10.624 | RMB15,936.00 |
| 3000 - 13500 | RMB10.411 | RMB15,616.50 |
| 15000 + | RMB10.203 | RMB15,304.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 178-4309
- 制造商零件编号:
- NVMFS6H818NT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 123A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | NVMFS6H818N | |
| 包装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 46nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 136W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 6.1 mm | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5.1mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 123A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 NVMFS6H818N | ||
包装类型 DFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 46nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 136W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 6.1 mm | ||
高度 1.05mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 5.1mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
汽车功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引线封装，设计用于紧凑型高效设计，包括高热性能。可润侧翼选件可用于增强型光学检验。适用于汽车应用。
特点
体积小巧 (5 x 6 mm)
低 RDS（接通）
低 QG 和电容
NVMFS6H818NWF - 可润侧翼选件
支持 PPAP
优点
紧凑设计
最大限度地减少传导损耗
最大限度地减少驱动器损耗
增强型光学检验
应用
开关电源
电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等）
48V 系统
最终产品
电动机控制
直流/直流转换器
负载开关