onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 21 A, DFN, 表面安装, 5引脚, NVMFS5C680NLT1G, NVMFS5C680NL系列

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RS 库存编号:
178-4419
制造商零件编号:
NVMFS5C680NLT1G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

21A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

DFN

系列

NVMFS5C680NL

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

27.5mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

5.8nC

最大功耗 Pd

24W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

长度

5.1mm

高度

1.05mm

宽度

6.1 mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
MY
汽车功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引线封装,设计用于紧凑型高效设计,包括高热性能。可润侧翼选件可用于增强型光学检验。适用于汽车应用。

特点

低 RDS(接通)

低 QG 和栅极电容

工业标准 5 x 6 mm 封装尺寸

同类最佳 FOM(RDS(接通)x QG)

NVMFS5C680NLWF - 可润侧翼产品

支持 PPAP

优点

最大限度地减少传导损耗

最大限度地减少切换损耗

紧凑型设计和标准尺寸,可直接嵌入

提高效率,降低功耗

增强型光学检验

应用

反向器电池保护

开关电源

电源开关(高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等)

最终产品

电磁阀驱动器 – ABS,燃油喷射

电动机控制 – EPS、雨刷、风扇、座椅等。

负载开关 - ECU、底盘、车身