onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 362 A, DFN, 贴片安装, 5引脚
- RS 库存编号:
- 189-0435
- 制造商零件编号:
- NVMFS5C406NLT1G
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 189-0435
- 制造商零件编号:
- NVMFS5C406NLT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 362 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻值 | 1.1 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大功率耗散 | 179 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 宽度 | 5.1mm | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 149 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 362 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 DFN | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻值 1.1 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大功率耗散 179 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
宽度 5.1mm | ||
长度 6.1mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 149 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
高度 1.05mm | ||
汽车功率 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引线封装，设计用于紧凑型高效设计，包括高热性能。可用于增强光学检查的湿式扫描床平板支撑选件。
体积小巧 (5x6 mm)
低 RDS（接通）
低 QG 和电容
NVMFS5C404NLWF - 湿式支架光学镜片
支持 PPAP
紧凑设计
最大限度地减少传导损耗
最大限度地减少驱动器损耗
增强型光学
应用
反向器电池保护
切换电源
电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等）
最终产品
电磁阀驱动器 - ABS 、燃油喷射
电机控制 - EPS 、雨刮器、风扇、座椅等
负载开关 - ECU 、底盘、车身
低 RDS（接通）
低 QG 和电容
NVMFS5C404NLWF - 湿式支架光学镜片
支持 PPAP
紧凑设计
最大限度地减少传导损耗
最大限度地减少驱动器损耗
增强型光学
应用
反向器电池保护
切换电源
电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等）
最终产品
电磁阀驱动器 - ABS 、燃油喷射
电机控制 - EPS 、雨刮器、风扇、座椅等
负载开关 - ECU 、底盘、车身