onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=50 A, 3针, TO-252, FDD系列

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onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=50 A, 3针, TO-252, FDD系列
RS 库存编号
178-4231

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RS 库存编号:
178-4442
制造商零件编号:
FDD86250-F085
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

50A

最大漏源电压 Vd

150V

系列

FDD

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

22mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

160W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

28nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.25V

最高工作温度

175°C

长度

6.73mm

标准/认证

No

宽度

6.22mm

高度

2.39mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
PH
N 通道屏蔽栅极 PowerTrench® 150 V，50 A，22 mΩ

VGS = 10 V、ID = 20 A 时，典型 RDS（接通）= 19.4 mΩ

VGS = 10 V、ID = 40 A 时，典型 Qg(tot) = 28 nC

UIS 能力

应用：

汽车发动机控制

传动系统管理

电磁阀和电动机驱动器

配电架构和 VRM

用于 12 V 系统的主开关

最终产品：

集成启动器/交流发电机

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