Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 300 A, HSOF, 表面安装, 8引脚, OptiMOS 3系列
- RS 库存编号:
- 178-7450
- 制造商零件编号:
- IPT020N10N3ATMA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 2000 件）*
¥36,726.00
(不含税)
¥41,500.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年4月20日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2000 + | RMB18.363 | RMB36,726.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 178-7450
- 制造商零件编号:
- IPT020N10N3ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 300A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 包装类型 | HSOF | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 156nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.58mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 10.1 mm | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 300A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
包装类型 HSOF | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 156nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.58mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 10.1 mm | ||
高度 2.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
豁免
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。