制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=300 A, 8针, HSOF, OptiMOS 3系列

RS 库存编号:: 906-4356
制造商零件编号:: IPT020N10N3ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=300 A, 8针, HSOF, OptiMOS 3系列

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RS 库存编号:: 906-4356
制造商零件编号:: IPT020N10N3ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	300A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	OptiMOS 3
	包装类型	HSOF
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	3.7mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	375W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	156nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	高度	2.4mm
	长度	10.58mm
	标准/认证	No
	宽度	10.1mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 300A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 OptiMOS 3
	包装类型 HSOF
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 3.7mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 375W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 156nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	高度 2.4mm
	长度 10.58mm
	标准/认证 No
	宽度 10.1mm
	汽车标准否

豁免

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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