Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=250 V, Id=25 A, 8针, TDSON, OptiMOS 3系列
- RS 库存编号:
- 178-7486
- 制造商零件编号:
- BSC600N25NS3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
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- 制造商零件编号:
- BSC600N25NS3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 250V | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 60mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 宽度 | 5.35mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 250V | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
包装类型 TDSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 60mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.1mm | ||
长度 6.1mm | ||
宽度 5.35mm | ||
汽车标准 否 | ||
豁免
Infineon OptiMOS 3系列MOSFET，漏源电压250V，连续漏极电流25A - BSC600N25NS3GATMA1
该MOSFET是一款高压N沟道晶体管，专为表面‑贴装应用的功率开关操作而设计。它可在更宽的温度范围内运行，适用于需要强大‑漏‑源电压处理能力和中等连续电流的电路。该器件采用8‑引脚TDSON封装，可实现紧凑的电路板‑级集成。
特性和优点：
• 250V漏极电压，适用于高‑压开关应用
• 25A 连续电流支持大量负载处理
• 60mΩ导通电阻，可降低工作期间的导通损耗
• 22nC典型栅极电荷，可实现快速响应开关性能
• 125W 最大功耗，可实现更高的热负载
• 25A 连续电流支持大量负载处理
• 60mΩ导通电阻，可降低工作期间的导通损耗
• 22nC典型栅极电荷，可实现快速响应开关性能
• 125W 最大功耗，可实现更高的热负载
应用
• 适用于电源板的高‑压DCDC转换器
• 适用于电源的同步整流
• 用于需要25A处理能力的电机‑驱动级应用
• 可用于空间受限的开关‑电源
• 适用于暴露在极端温度条件下的工业开关电路
• 适用于电源的同步整流
• 用于需要25A处理能力的电机‑驱动级应用
• 可用于空间受限的开关‑电源
• 适用于暴露在极端温度条件下的工业开关电路
在设计过程中应遵守哪些栅极电压限制？
栅‑源电压不得超过20V，以防止栅‑氧化层应力并确保器件可靠性。
沟道类型对于电路拓扑的选择有何影响？
作为一种N‑沟道增强型器件，它通常布置在开关的低边，或用于同步拓扑结构中以提高效率。
它在运行过程中能耐受哪种热环境？
该元件的工作温度范围为-55°C至150°C，可在环境温度多变的宽‑温安装环境中使用。
关于封装安装，有哪些建议的注意事项？
TDSON表面‑贴装封装需要配备合适的PCB散热焊盘和焊接温度曲线，以管理散热和机械稳定性。
相关链接
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