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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB14.246 | RMB712.30 |
| 100 - 150 | RMB13.819 | RMB690.95 |
| 200 + | RMB13.404 | RMB670.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-7350
- 制造商零件编号:
- SIHP25N50E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay 通孔安装 N 沟道 TO-220AB-3 MOSFET 是一款新时代的产品，漏极源电压为 500V ，最大栅极源电压为 30V。它在栅极源电压为 10V 时具有 145mohms 的漏 - 源电阻。它的最大功耗为 250W ，连续漏极电流为 26A。其驱动电压为 10V。此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•低品质因数 (FOM) ： Ron x Qg
•低栅极电荷 (Qg)
•低输入电容 (Ciss)
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
•减少切换和传导损耗
•低栅极电荷 (Qg)
•低输入电容 (Ciss)
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
•减少切换和传导损耗
应用
•硬切换拓扑
• PC 银盒 /ATX 电源
•功率因数校正电源 (PFC)
•开关模式电源 (SMPS)
•两级 LED 照明
• PC 银盒 /ATX 电源
•功率因数校正电源 (PFC)
•开关模式电源 (SMPS)
•两级 LED 照明
认证
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• UIS 测试
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• UIS 测试