Vishay , 1 P型沟道 单 MOSFET, Vds=20 V, 29.7 A, PowerPAK SC-70-6L, 表面安装, 6引脚, SIA437DJ-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 180-7780
- 制造商零件编号:
- SIA437DJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
¥79.06
(不含税)
¥89.34
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 2,780 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | RMB3.953 | RMB79.06 |
| 760 - 1480 | RMB3.834 | RMB76.68 |
| 1500 + | RMB3.719 | RMB74.38 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-7780
- 制造商零件编号:
- SIA437DJ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 29.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | PowerPAK SC-70-6L | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.065Ω | |
| 最大功耗 Pd | 19W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最低工作温度 | 50°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 2.05 mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 长度 | 2.05mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 29.7A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 PowerPAK SC-70-6L | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.065Ω | ||
最大功耗 Pd 19W | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
最低工作温度 50°C | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 2.05 mm | ||
高度 0.8mm | ||
长度 2.05mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIA437DJ 是 P 通道 MOSFET ，具有 -20V 的漏极至源电压 (VDS) 和 8V 的栅极至源电压 (VGS)。它采用 Power PAK SC-70 封装。它在 4.5VGS 时提供 0.0145 Ω 的漏极至源电阻 (RDS) ，在 2.5VGS 时提供 0.0205 Ω 的漏极至源电阻 (RDS)。最大漏极电流 29.7 A。
Trench FET 功率 MOSFET
热增强型 Power PAK SC-70 封装
经过 100 % Rg 测试