Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=6.5 A, 8针, PowerPack, SI7216DN系列

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包装方式：
RS 库存编号:
180-7922
制造商零件编号:
SI7216DN-T1-E3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

6.5A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

SI7216DN

包装类型

PowerPack

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

25mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-50°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

12.5nC

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

20.8W

最高工作温度

150°C

晶体管配置

双

长度

3.4mm

高度

1.12mm

标准/认证

No

宽度

3.4mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
Vishay SI7216DN 是双 N 沟道 MOSFET ，漏极至源电压 (VDS) 为 40V。 栅极至源电压 (VGS) 为 20V。它采用功率 PAK 1212-8 封装。它提供漏极到源电阻 (RDS)。 10 VGS 时为 0.032 欧姆， 4.5 VGS 时为 0.039 欧姆。最大漏极电流 6A。

Trench FET 功率 MOSFET

低热阻功率 PAK 封装，具有小尺寸和 1.07 mm 薄型

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

符合 RoHS 指令 2002/95/EC

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